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本文的參數萃取主要集中在輸出特性曲線的導通電阻( Ron )與崩潰電壓( Var )。文中提出使用表面回應法及最佳化方法分析 IGBT 元件特性的模擬環境,選擇 IGBT 元件的設計空間去決定設計參數之值,以達到最佳化之 Ran 與 Vor 。關鍵詞:絕緣間雙極性功率電 ...
本文的參數萃取主要集中在輸出特性曲線的導通電阻( Ron )與崩潰電壓( Var )。文中提出使用表面回應法及最佳化方法分析 IGBT 元件特性的模擬環境,選擇 IGBT 元件的設計空間去決定設計參數之值,以達到最佳化之 Ran 與 Vor 。關鍵詞:絕緣間雙極性功率電 ...
Seite 103
確認設計參數與其範圍之後,使用 Box - Behnken [ 16 ]實驗設計之法則,進行矩陣實驗( Matrix Experiment )的規劃。· (三)完成 Box - Behnken 矩陣實驗本研究計完成四十一組不同的設計點與實驗(見表四)。Case 0 至 Case 40 的 Ron.sim 是由製程 ...
確認設計參數與其範圍之後,使用 Box - Behnken [ 16 ]實驗設計之法則,進行矩陣實驗( Matrix Experiment )的規劃。· (三)完成 Box - Behnken 矩陣實驗本研究計完成四十一組不同的設計點與實驗(見表四)。Case 0 至 Case 40 的 Ron.sim 是由製程 ...
Seite 117
{ Tox , -1 , 1 } -0.5 0.5 圖八( a )至圖十二( a )是根據 WCR (公式( 6 ) )在 w = w = 1 的條件下描繪其設計參數結構對 WCR 的等高線圖。在圖中我們選擇的結構是根據最佳化分析得到的參數,參見表五( C )。選擇用相同的加權因子是因為本文將崩潰電壓與導通 ...
{ Tox , -1 , 1 } -0.5 0.5 圖八( a )至圖十二( a )是根據 WCR (公式( 6 ) )在 w = w = 1 的條件下描繪其設計參數結構對 WCR 的等高線圖。在圖中我們選擇的結構是根據最佳化分析得到的參數,參見表五( C )。選擇用相同的加權因子是因為本文將崩潰電壓與導通 ...
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