逢甲學報, Band 36逢甲大學, 1999 |
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... 參數,同時採用實驗設計( Design of Experiment , DOE )方法最佳化 IGBT 模型。本文的參數萃取主要集中在輸出特性曲線的導通電阻( Ron )與崩潰電壓( Var )。文中提出使用表面回應法及最佳化方法分析 IGBT 元件特性的模擬環境,選擇 IGBT 元件的設計空間去 ...
... 參數,同時採用實驗設計( Design of Experiment , DOE )方法最佳化 IGBT 模型。本文的參數萃取主要集中在輸出特性曲線的導通電阻( Ron )與崩潰電壓( Var )。文中提出使用表面回應法及最佳化方法分析 IGBT 元件特性的模擬環境,選擇 IGBT 元件的設計空間去 ...
Seite 103
... 參數刪減,我們將因子刪減剩下 Wbuffer 、 Lgate Nepi 、 tax Nimo 五個,假設每一個設計參數皆選擇三個水準(十、一、 0 ) ,涵蓋適當的範圍。其中 0 準位即為設計範圍的中間值。確認設計參數與其範圍之後,使用 Box - Behnken [ 16 ]實驗設計之法則,進行矩陣 ...
... 參數刪減,我們將因子刪減剩下 Wbuffer 、 Lgate Nepi 、 tax Nimo 五個,假設每一個設計參數皆選擇三個水準(十、一、 0 ) ,涵蓋適當的範圍。其中 0 準位即為設計範圍的中間值。確認設計參數與其範圍之後,使用 Box - Behnken [ 16 ]實驗設計之法則,進行矩陣 ...
Seite 117
... 參數結構對 WCR 的等高線圖。在圖中我們選擇的結構是根據最佳化分析得到的參數,參見表五( C )。選擇用相同的加權因子是因為本文將崩潰電壓與導通電阻視為相同重要的設計要求參數。圖八( b )至圖十二( b )是根據 WCRS (公式( 9 ) )在 w = w = 1 的條件下 ...
... 參數結構對 WCR 的等高線圖。在圖中我們選擇的結構是根據最佳化分析得到的參數,參見表五( C )。選擇用相同的加權因子是因為本文將崩潰電壓與導通電阻視為相同重要的設計要求參數。圖八( b )至圖十二( b )是根據 WCRS (公式( 9 ) )在 w = w = 1 的條件下 ...