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圖三( a )為氧化層的厚度( 10 )及 P-型井離子佈植濃度( Nimp )對導通電阻的立體圖,圖三( b )為氧化層的厚度( Io )及 P-型井離子佈植濃度( Nump )對崩潰電壓的立體圖。請注意本文類似圖形的座標皆是經正則化後的結果。觀察這兩張圖形,低導通電阻區是發生在 ...
圖三( a )為氧化層的厚度( 10 )及 P-型井離子佈植濃度( Nimp )對導通電阻的立體圖,圖三( b )為氧化層的厚度( Io )及 P-型井離子佈植濃度( Nump )對崩潰電壓的立體圖。請注意本文類似圖形的座標皆是經正則化後的結果。觀察這兩張圖形,低導通電阻區是發生在 ...
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... 1 } ( c ) 0.5 1 ( b )圖三( a )導通電阻對正則化的 at 與 Nimo 的三維表示圖( b )崩潰電壓對正則化的 Car 與 Nimb 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓 圖四( a )為氧化層的厚度.
... 1 } ( c ) 0.5 1 ( b )圖三( a )導通電阻對正則化的 at 與 Nimo 的三維表示圖( b )崩潰電壓對正則化的 Car 與 Nimb 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓 圖四( a )為氧化層的厚度.
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-1 -0.5 0 0.5 1 { Ly , -1 , 1 } ( c )圖五( a )導通電阻對正則化的( b )崩潰電壓對正則化的 Nepi 與 L 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓圖六( a )為閘極的長度( Lgue )及緩衝層的厚度( ...
-1 -0.5 0 0.5 1 { Ly , -1 , 1 } ( c )圖五( a )導通電阻對正則化的( b )崩潰電壓對正則化的 Nepi 與 L 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓圖六( a )為閘極的長度( Lgue )及緩衝層的厚度( ...
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