逢甲學報, Band 36逢甲大學, 1999 |
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... 導通電阻的立體圖,圖三( b )為氧化層的厚度( Io )及 P-型井離子佈植濃度( Nump )對崩潰電壓的立體圖。請注意本文類似圖形的座標皆是經正則化後的結果。觀察這兩張圖形,低導通電阻區是發生在較薄的 Far 與較少的 Nimp ,高崩潰電壓區是發生在較厚的 far 與 ...
... 導通電阻的立體圖,圖三( b )為氧化層的厚度( Io )及 P-型井離子佈植濃度( Nump )對崩潰電壓的立體圖。請注意本文類似圖形的座標皆是經正則化後的結果。觀察這兩張圖形,低導通電阻區是發生在較薄的 Far 與較少的 Nimp ,高崩潰電壓區是發生在較厚的 far 與 ...
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... 導通電阻對正則化的( b )崩潰電壓對正則化的 Nepi 與 L 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓圖六( a )為閘極的長度( Lgue )及緩衝層的厚度( Wouffer )對導通電阻的立體圖,圖六( b )為閘極的 ...
... 導通電阻對正則化的( b )崩潰電壓對正則化的 Nepi 與 L 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓圖六( a )為閘極的長度( Lgue )及緩衝層的厚度( Wouffer )對導通電阻的立體圖,圖六( b )為閘極的 ...
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... 導通電阻( Ran , opt )與崩潰電壓( Vor , opt )的 IGBT 結構。接著我們使用組合反應函數來考慮兩個反應函數如何取捨最佳化特性的問題,最佳化結構點因為調整導通電阻( Ron )與崩潰電壓( Van )的特性而轉移。同時加入了靈敏度分析,考慮製程變動對良率的影響 ...
... 導通電阻( Ran , opt )與崩潰電壓( Vor , opt )的 IGBT 結構。接著我們使用組合反應函數來考慮兩個反應函數如何取捨最佳化特性的問題,最佳化結構點因為調整導通電阻( Ron )與崩潰電壓( Van )的特性而轉移。同時加入了靈敏度分析,考慮製程變動對良率的影響 ...