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圖三( a )為氧化層的厚度( 10 )及 P-型井離子佈植濃度( Nimp )對導通電阻的立體圖,圖三( b )為氧化層的厚度( Io )及 P-型井離子佈植濃度( Nump )對崩潰電壓的立體圖。請注意本文類似圖形的座標皆是經正則化後的結果。觀察這兩張圖形,低導通電阻區是發生在 ...
圖三( a )為氧化層的厚度( 10 )及 P-型井離子佈植濃度( Nimp )對導通電阻的立體圖,圖三( b )為氧化層的厚度( Io )及 P-型井離子佈植濃度( Nump )對崩潰電壓的立體圖。請注意本文類似圖形的座標皆是經正則化後的結果。觀察這兩張圖形,低導通電阻區是發生在 ...
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-1 -0.5 0 0.5 1 { Ly , -1 , 1 } ( c )圖五( a )導通電阻對正則化的( b )崩潰電壓對正則化的 Nepi 與 L 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓圖六( a )為閘極的長度( Lgue )及緩衝層的厚度( ...
-1 -0.5 0 0.5 1 { Ly , -1 , 1 } ( c )圖五( a )導通電阻對正則化的( b )崩潰電壓對正則化的 Nepi 與 L 的三維表示圖( c )在最佳化導通電阻的結構下,反應函數的等高線圖。黑白陰影:導通電阻,虛線:崩潰電壓圖六( a )為閘極的長度( Lgue )及緩衝層的厚度( ...
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表面回應方法配合線性多變量回歸分析,可以很方便的得到一組準確的 IGBT 導通電阻與崩潰電壓的二階經驗模型。在應用的設計範圍內,已經證明了它們的準確性。利用這一組新的經驗公式,我們針對各種不同的設計情況提出四種最佳化的問題並作了詳細的分析。
表面回應方法配合線性多變量回歸分析,可以很方便的得到一組準確的 IGBT 導通電阻與崩潰電壓的二階經驗模型。在應用的設計範圍內,已經證明了它們的準確性。利用這一組新的經驗公式,我們針對各種不同的設計情況提出四種最佳化的問題並作了詳細的分析。
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